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中信证券:日本半导体设备出口限制正式公告,料长期带动国产化加速

来源:券商研报精选2023-05-24 10:53:13

  文丨徐涛 王子源

  日本经济产业省正式公告针对高端半导体设备的出口管制措施,并将于7月开始实施,措施内容符合我们先前预期。主要影响为清单内的6大类23种高端半导体设备(或物项)未来对华出口需申请许可证。中国大陆为日本主要半导体设备厂商的重要收入来源地区之一,出口限制主要针对先进芯片制造,符合预期,否则若全面限制、日本半导体相关产业也会有较大冲击。建议关注成熟制程扩产持续、先进制程国产替代力度有望加大背景下的半导体设备/零部件环节。

  ▍2023年5月23日,日本经济产业省发布省令,正式出台针对23种半导体制造设备(或物项)的出口管制措施,并将于7月23日开始实施。

  该措施内容与3月31日的征询公众意见稿基本一致,符合先前预期(可参考《电子行业半导体重大事项点评—日本限制半导体设备出口,持续看好半导体设备国产化机会》(2023-4-23))。

  ▍本次措施主要是增加了6大类23种管制物项,对华出口需申请许可。

  在清单内的受管制物品在向中国大陆、俄罗斯等地区出口时,需要获得日本经济产业省的许可证。清单主要针对高端半导体制造设备,尤其是特别聚焦了ArF浸没式光刻、EUV配套设备及部件、钴/钨等金属沉积、高深宽比刻蚀和硅锗刻蚀等技术指标较高、材料特殊、在先进制程有针对性应用的半导体设备品种,而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中。

  ▍具体这6大类23种半导体制造设备(或物项)主要包括:

  1)光刻(4项):ArF浸没式光刻机、用于EUV光刻的涂胶显影设备、用于EUV光刻的光罩护膜(清单中唯一一种非设备品种,用于EUV光罩的配套)及其生产设备。其中EUV光刻机(仅荷兰ASML提供)的采购国内长期受限,日本限制EUV配套产品没有实质影响,而ArF浸没式光刻机日本尼康有相关产品,未来需观察许可实际发放情况。

  2)刻蚀(3项):高深宽比刻蚀、硅锗刻蚀等。

  3)薄膜沉积(11项):用于钴、钨、钼、钌等金属薄膜、Contact层、Low-k等介质、掩膜版、硅和硅锗外延等沉积的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉积设备。

  4)热处理(1项):用于铜、钴、钨的低压退火设备。

  5)清洗(3项):铜膜清洗、干法清洗、晶圆改性后干燥的单片湿法清洗。

  6)检测(1项):EUV光刻掩膜版检测设备。

  物项清单虽未明确说明设备对应的制程节点,但技术指标、应用于具体材料和工艺的描述均具有较强的针对性,主要面向与先进制程相关的设备品种。

  ▍中国大陆为日本主要半导体设备厂商的重要收入来源地区之一,本次出口限制主要针对高端半导体制造,符合我们先前预期。

  以日本半导体设备公司东京电子(TEL)、迪恩士(DNS)和尼康公司(Nikon)为例,三家公司2022年报(2021.4.1-2022.3.31)中国大陆客户营收占比分别为28.3%、26.2%、28.4%,均为其最大收入来源地区。本次出口限制主要针对先进半导体制造,符合我们先前预期。否则若日本对华成熟芯片相关的半导体设备也实际施加限制,则将会影响日本相关设备公司的营收,长期削弱日本在半导体设备领域的份额优势,同时中国本土技术生态链有望在重压下加速本土替代。

  ▍风险因素:

  后续对华半导体技术限制超预期风险;先进技术创新不及预期;国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险;先进制程技术变革风险;下游需求波动风险。

  ▍投资策略:

  当下从产业安全角度,建议重点关注设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”环节,有望获得政策推动。短期来看,建议关注日本及荷兰厂商占有领先地位的、并能够实现国产替代的设备/材料环节;长期来看,建议关注受益国产替代加速的设备、零部件、材料等各环节的相关公司。建议关注半导体设备/零部件公司。