5G预计能撬动4万亿投资 5月或许是关键时间点

记者从通宇通讯了解到，公司目前向主要通信设备厂商开展基站天线的测试，小批量出货，目前5G基站仍以金属腔体滤波器为主。根据5G规划，预计批量商用可能会在2019年底或2020年。

产业机会四：氮化镓半导体材料迎机遇

射频功率放大器(PA)是射频前端发射通路的主要器件。5G基站对PA的需求数倍增长，氮化镓(GaN)材料被认为将成为主流技术。

国金证券研报称，预计5G基站PA需求量高达192个，数量大幅增长。GaN能较好地适用于大规模MIMO，研判5G基站GaN射频PA将成为主流技术。

新材料在线分析，在GaN射频电子方面，台湾台积电和稳懋是目前国内企业代工的主要平台，国内企业中，三安光电、海特高新已经开始布局。

据了解，三安光电目前已布局完成 6 寸的砷化镓和氮化镓部分产线。2017年 12 月公司投资 333 亿元在福建泉州投资注册成立项目公司，产业化项目主要为高端氮化镓及其LED 芯片、大功率氮化镓激光器、射频、滤波器的研发与制造等。

今年3月，美的集团宣布与三安光电旗下子公司三安集成战略合作，共同成立第三代半导体联合实验室，双方合作方向将聚焦在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)半导体功率器件芯片与智能功率模块(IPM)的应用电路相关研发，并逐步导入白色家电领域。

记者从耐威科技了解到，公司布局了氮化镓(GaN)外延材料及器件，目前均处于研发测试阶段，尚未进入正式投产阶段，公司研制的8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，公司碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)也正在同步研制中。

此外，上市公司海特高新氮化镓芯片代工已经引入客户。近日，记者从海特高新了解到：“公司已经具备5G氮化镓基站芯片代工能力，氮化镓业务已经引入6家客户，氮化镓功率元器件已经小规模量产，随着5G商用部署进程不断推进，在5G射频方面将催生大量的氮化镓元器件需求。”